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GT50N321

Toshiba Semiconductor
Part Number GT50N321
Manufacturer Toshiba Semiconductor
Description silicon N-channel IGBT
Published Sep 3, 2014
Detailed Description GT50N321 トランジスタ シリコンNチャネルIGBT GT50N321 ○ インバータスイッチング ○ 4 • • • • FRD をしています。 りいがなエンハンスメントタイプです。 スイッチングがい。 IGBT : tf ...
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GT50N321
GT50N321

Overview
GT50N321 トランジスタ シリコンNチャネルIGBT GT50N321 ○ インバータスイッチング ○ 4 • • • • FRD をしています。 りいがなエンハンスメントタイプです。 スイッチングがい。 IGBT : tf = 0.
25 μs () (IC = 60 A) FRD : trr = 0.
8 μs () (di/dt = −20 A/μs) がい。 VCE (sat) = 2.
5 V () (IC = 60 A) : mm (Ta = 25°C) V V A コ レ ク タ ･ エ ミ ッ タ ゲ ー ト ・ エ ミ ッ タ コ レ ク タ エミッタ･コレクタ コ レ ク タ DC 1 ms DC 1 ms VCES VGES IC ICP IF IFP PC Tj Tstg 1000 ±25 50 120 15 120 156 150 −55~150 A W °C °C JEDEC JEITA ― ― 2-16C1C (Tc = 25°C) : 4.
6 g () : の (//) がでのにおいても、 (および /、 な) でしてされるは、 がしくするおそれがあります。 ハンドブック (りいのごとおいおよびディレーティングのえと) およ び (レポート、) をごの、なをおいします。 コレクタ ゲート エミッタ TOSHIBA GT50N321 (または) ロット No.
フリー マーク (なし: あり: フリー) 1 2006-10-31 GT...


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