Silicon-Twin Diodes Center tap - Diotec Semiconductor
Description
DAN 208 / DAP 208 (1.
2 W) Silicon-Twin Diodes Center tap Silizium-Doppeldioden Mittelpunktschaltung
Nominal power dissipation Nenn-Verlustleistung Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 3 Pin-Plastic case 3 Pin-Kunststoffgehäuse Weight approx.
– Gewicht ca.
Dimensions / Maße in mm
1.
2 W 150 V
8.
5 x 3.
5 x 6.
6 [mm] 0.
6 g see page 22 s.
Seite 22
Standard packaging: bulk Standard Lieferform: lose im Karton
"DAP": common anodes / gemeinsame Anoden
"DAN": common cathodes / gemeinsame Kathoden
Maximum ratings Type Typ DAN 208 DAP 208 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 100 100 TA = 25/C
Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 150 150
Max.
average forward rectified current, R-load, for one diode operation only for simultaneous operation Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last, für eine einzelne Diode bei gleichzeitigem Betrieb Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
IFAV IFAV IFAV IFAV IFSM
1.
0 A 1) 2.
0 A 1) 1.
0 A 1) 2.
0 A 1) 10 A
TU = 25/C
TA = 25/C
1
) Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten 28.
02.
2002
354
DAN 208 / DAP 208 (1.
2 W) Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS – 50…+150/C – 50…+150/C Kennwerte Tj = 25/C Tj = 25/C IF = 1 A VR = 100 V VF IR RthA < 1.
2 V 1) < 10 :A < 45 K/W 2)
Characteristics Forward voltage Durchlaßspannung Leakage current Sperrstrom
Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
1 2
) Valid for one diode – Gültig für eine Diode ) Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten 28.
02.
2002
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