MMBT5551

MMBT5550 / MMBT5551 MMBT5550 / MMBT5551 NPN Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors Si-Epi-Planar Universaltransistoren für die Oberflächenmontage Version 2006-05-09 2.9 ±0.1 0.4 3 Type Code 1 2 1.1 1.9 Dimensions - Maße [mm] 1=B 2=E 3=C 2.5 max 1.3±0.1 Power dissipation – Verlustleistung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle NPN 250 mW SOT-23 (TO-236) 0.01 g Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) MMBT5550 MMBT5551 Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 140 V 160 V Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung E open VCBO 160 V 180 V Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 6V Power dissipation – Verlustleistung Ptot 250 mW 1) Collector current – Kollektorstrom (dc) IC 600 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj -55...+150°C TS -55…+150°C Characteristics (Tj = 25°C) DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis 2) IC = 1 mA, VCE = 5 V MMBT5550 MMBT5551 hFE hFE IC = 10 mA, VCE = 5 V MMBT5550 MMBT5551 hFE hFE IC = 50 mA, VCE = 5 V MMBT5550 MMBT5551 hFE hFE Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. 2) IC = 10 mA, IB = 1 mA MMBT5550 MMBT5551 VCEsat VCEsat IC = 50 mA, IB = 5 mA MMBT5550 MMBT5551...