MMBT5550 / MMBT5551
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NPN
Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors Si-Epi-Planar Uni...
MMBT5550 / MMBT5551
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NPN
Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar
Transistors Si-Epi-Planar Universal
transistoren für die Oberflächenmontage
Version 2006-05-09
2.9 ±0.1 0.4 3
Type Code
1
2
1.1
1.9
Dimensions - Maße [mm] 1=B 2=E 3=C
2.5 max 1.3±0.1
Power dissipation – Verlustleistung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
NPN
250 mW SOT-23 (TO-236) 0.01 g
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
MMBT5550 MMBT5551
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO
140 V
160 V
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung
E open
VCBO
160 V
180 V
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
C open
VEBO
6V
Power dissipation – Verlustleistung
Ptot 250 mW 1)
Collector current – Kollektorstrom (dc)
IC 600 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj -55...+150°C TS -55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis 2)
IC = 1 mA, VCE = 5 V
MMBT5550 MMBT5551
hFE hFE
IC = 10 mA, VCE = 5 V
MMBT5550 MMBT5551
hFE hFE
IC = 50 mA, VCE = 5 V
MMBT5550 MMBT5551
hFE hFE
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. 2)
IC = 10 mA, IB = 1 mA
MMBT5550 MMBT5551
VCEsat VCEsat
IC = 50 mA, IB = 5 mA
MMBT5550 MMBT5551...