TFZV11B

TFZV11B Zener Diode 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 ●Outline PD 500 mW ●Feature High reliability Small mold type ●Inner Circuit Data sheet 　　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　　 ●Application Voltage regulation ●Structure Silicon Epitaxial Planar ●Absolute Maximum Rating (Ta = 25℃) Parameter Symbol Power dissipation PD Junction temperature Tj Storage temperature Tstg ●Packaging Specification Packing Embossed Tape Reel Size(mm) 180 Taping Width(mm) 8 Basic Ordering Unit(pcs) 3000 Taping Code TR Marking BI Limits Unit 500 mW 150 ℃ -55 ～ 150　 ℃ www.rohm.com © 2017 ROHMCo., Ltd.All rights reserved. 　 　 　　　　 　 　 1/6 　 2017/01/12_Rev.002 TFZV Series 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　　　　　　　　 Data sheet ●Characteristic (Ta = 25ºC) 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 Symbol P/N Zener Voltage:VZ(V) Dynamic Impedance:ZZ(Ω) Reverse Current:IR(μA) MIN. MAX. Iz(mA) MAX. Iz(mA) MAX. VR(V) TFZV 2.0B 2.020 2.200 20 140 20 120 0.5 TFZV 2.2B 2.220 2.410 20 120 20 120 0.7 TFZV 2.4B 2.430 2.630 20 100 20 120 1.0 TFZV 2.7B 2.690 2.910 20 100 20 100 1.0 TFZV 3.0B 3.010 3.220 20 80 20 50 1.0 TFZV 3.3B 3.320 3.530 20 70 20 20 1.0 TFZV 3.6B 3.600 3.845 20 60 20 10 1.0 TFZV 3.9B 3.890 4.160 20 50 20 5 1.0 TFZV 4.3B 4.170 4.430 20 40 20 5 1.0 TFZV 4.7B 4.550 4.800 20 25 20 5 1.0 TFZV 5.1B 4.940 5.200 20 20 20 5 1.5 TFZV 5.6B 5.450 5.730 20 13 20 5 2.5 TFZV 6.2B 5.960 6.270 20 10 20 ...