EL321

ダイオード INFRARED EMITTING DIODES(GaAs) EL321 EL321は、でモールドされたGaAsダイオードです。・でがです。 The EL321 is a high-power GaAs IRED mounted in a clearlow profile side-viewing package. This IRED is both compact and easy to mount. FEATURES ● モールドタイプ Plastic mold package APPLICATIONS フォトインタラプタ、マウス、エンコーダ Photointerrupters, Mouses, Encoders MAXIMUM RATINGS （Ta＝25℃） Item Symbol Rating Unit Reverse voltage Forward current VR 5 V IF 50 mA パルス Power dissipation Pulse forward current *1 PD IFP 75 mW 1A Operating temp. Topr. Storage temp. Tstg. Soldering temp. *2 Tsol. ＊1. パルス:ｔｗ≦100μs :T=10ms pulse width:ｔｗ≦100μs period:T=10ms ＊2. リードより2mmれたで　ｔ=5 s For MAX. 5 seconds at the position of 2mm from the resin edge －20～＋85 －25～＋85 260 ℃ ℃ ℃ ELECTRO-OPTICAL　CHARACTERISTICS Item 　　　　 Forward voltage 　　　　 　　　 Reverse current Radiant intensity ＊3 ピーク Peak emission avelength ス ペ ク ト ル Spectral bandwidth 50% 　　　　 Half angle ＊3. による Measured by tester of KODENSHI CORP. Symbol VF IR Po λP △λ △θ Conditions IF=20mA VR=5V IF=4mA IF=20mA IF=20mA ─ （Ta＝25℃） Min. Typ. Max. Unit. ─ 1.2 1.5 V ─ ─ 10 μA ─ 500 ─ μA ─ 940 ─ nm ─ 50 ─ nm ─ ±30 ─ deg にしておりますは、の、によってなしにされることがあります。ごのには、をごのうえ、 のをおいします。 The contents of this data sheet are subject to change without advance notice for the purpose of improvement. When using this product, would　you　please　refer to the latest specifications. Sep.2012 　P D Power dissipation ダイオード INFRARED EMITTING DIODES(GaAs) EL321 ...