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FHP830

Feihonltd

N-channel enhancement mode power MOS FET

FHP830 N MOS 。AC-DC ,DC-DC,HPMW。 ★ 5.5A,500V,RDS(on)()1.34Ω ★ 、 ★ FHP830 (TC=25℃) — TC=25℃ TC=25℃ VDSS I...


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Description
FHP830 N MOS 。AC-DC ,DC-DC,HPMW。 ★ 5.5A,500V,RDS(on)()1.34Ω ★ 、 ★ FHP830 (TC=25℃) — TC=25℃ TC=25℃ VDSS ID VGS PD TJ Tstg (TC=25℃) 500 5.5 ±30 87.5 150 -55~150 V A V W ℃ ℃ BVDSS VGS=0V, ID=250µA IDSS VDS =500V, VGS= 0V IGSS VGS = ±30V. VDS= 0V RDS(on) VGS=10V, ID=2.75A - VGS(th) VFsD VDS = VGS, ID = 250µA IS=5.5A,VGS=0V 500 —— —— —— 2.0 —— —— —— —— 1.34 —— —— —— 1.0 ±100 1.5 4.0 1.4 V µA nA Ω V V 1 2 ★ TO-220AB ★ FHP830 2 2 ...




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