N-channel enhancement mode power MOS FET
FHP830 N MOS 。AC-DC ,DC-DC,HPMW。
★ 5.5A,500V,RDS(on)()1.34Ω ★ 、 ★
FHP830
(TC=25℃)
— TC=25℃ TC=25℃
VDSS
I...
Description
FHP830 N MOS 。AC-DC ,DC-DC,HPMW。
★ 5.5A,500V,RDS(on)()1.34Ω ★ 、 ★
FHP830
(TC=25℃)
— TC=25℃ TC=25℃
VDSS
ID VGS PD TJ Tstg
(TC=25℃)
500 5.5 ±30 87.5 150 -55~150
V A V W ℃ ℃
BVDSS VGS=0V, ID=250µA
IDSS VDS =500V, VGS= 0V
IGSS VGS = ±30V. VDS= 0V
RDS(on) VGS=10V, ID=2.75A
- VGS(th)
VFsD
VDS = VGS, ID = 250µA IS=5.5A,VGS=0V
500
—— —— ——
2.0
——
—— —— ——
1.34
——
——
——
1.0 ±100
1.5 4.0
1.4
V µA nA Ω V
V
1 2
★ TO-220AB ★
FHP830
2 2
...
Similar Datasheet