TDB6HK124N16RR

Technische Information / Technical Information Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT Thyristor Module with Chopper-IGBT TD B6HK 124 N 16 RR N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Gleichrichterdiode, -thyristor / Rectifierdiode, -thyristor Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element) RMS on-state current (per chip) Ausgangsstrom output current Stoßstrom-Grenzwert surge current Grenzlastintegral I²t-value Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage IGBT Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor-Spitzenstrom repetitive peak collektor current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Schnelle Diode / Fast diode Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Modul Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f = 50Hz, t = 1min NTC connected to baseplate TC = 80°C TC = 80°C TC = 85°C Tvj = - 40°C...Tvj max V RRM ITRMSM Id ITSM I²t (di/dt)cr (dv/dt)cr 1600 70 125 650 550 2100 1500 120 V A A A A A²s A²s A/µs Tvj = 25°C, tp = 10ms Tvj = Tvj max, t p = 10ms Tvj = 25°C, tp = 10ms Tvj = Tvj max, t p = 10m...