GA5212

IC GA5212 （Ver 1.3） — — — — — — — GA5212 CMOS ，； 4 ，TO94 SOT143 ，。 2.8V~5.0V； 、； ； RC ，， 。 。 — — si yo m O I/O ，，； ，，。 。 /。 。 RELAY VCC RC GND 1 co nf id e nt ia l — IC si （T）： （1）： T=23500×Rtotal×C5 ，Rtotal=（RT1//R6）+（VR1//R5）+R8。 RT1 ；VR1 ；R5、R6 。 （2）： T=30×1024×（1÷FRC） ，FRC RC ，。 。 yo ：[1] m R8 30kΩ；[2] C5 56nF。 2 co nf id e — nt ia l — -40℃ to IC +125℃ 0℃ to +85℃ 2.8V ~ 5.5V 20mA 500mW — Sym VCC VIH VIL TA Description Supply Voltage Input High Voltage Input Low Voltage Operation Temperature Min 2.8 0.8VCC 0 0 Typ 3.9 25 Max 5.0 - si yo m co 3 nf id e nt 0.3VCC 85 V ℃ ia l Units V V TO94 IC co （） 1.400 0.700 0.500 0.360 0.380 0.360 4.980 3.780 3.450 nf A A1 A2 b b1 c D D1 E e e1 L θ （） 0.055 0.028 0.020 0.014 0.015 0.014 0.196 0.149 0.136 0.050 TYP 3.910 15.300 45° TYP 0.146 0.587 45° TYP 0.154 0.602 0.071 0.035 0.028 0.020 0.022 0.020 0.208 0.161 0.148 si yo m 1.270 TYP 3.710 14.900 4 id e 1.800 0.900 0.700 0.500 0.550 0.510 5.280 4.080 3.750 nt ia l SOT143 IC co （） 0.900 0.000 0.900 0.300 0.750 0.080 2.800 nf （） 0.035 0.000 0.035 0.012 0.030 0.003 0.110 0.045 0.004 0.041 0.020 0.035 0.006 0.118 A A1 A2 b b1 c D d E E1 e e1 L L1 θ si yo m 0.200 TYP. 1.200 2.250 0.950 TYP. 1.800 0.550 REF. 0.300 0° id e 1.150 0.100 1.050 0.500 0.900 0.150 3.000 1.400 2.550 2.000 0.500 8° 5 nt 0.008 TYP. 0.047 0.089 0.037 TYP. 0.071 0.022 REF. 0.012 0° 0.020 8° 0.079 0.055 ...