FF200R12KS4

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FF200R12KS4 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode 2 I t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage tP = 1 ms Tvj= 25° C TC = 70 °C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC = 80°C VCES IC,nom. IC ICRM 1200 200 275 400 V A A A TC=25°C, Transistor Ptot 1,4 kW VGES +/- 20V V IF 200 A IFRM 400 A VR = 0V, t p = 10ms, T Vj = 125°C I t 2 18 kA s 2 RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current IC = 200A, V GE = 15V, Tvj = 25°C IC = 200A, V GE = 15V, Tvj = 125°C IC = 8mA, V CE = VGE, Tvj = 25°C VGE(th) VCE sat min. 4,5 typ. 3,2 3,85 5,...