DDB6U134N16RR

Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 134 N 16 RR N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Gleichrichterdiode / Rectifierdiode Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element) RMS forward current (per chip) Ausgangsstrom output current Stoßstrom-Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I²t-value IGBT Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor-Spitzenstrom repetitive peak collektor current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Schnelle Diode / Fast diode Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Modul Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f = 50Hz, t = 1min NTC connected to baseplate t p = 1ms T C = 80°C T C = 25°C t p = 1ms, T C = 80°C T C = 80°C T vj = 25°C, tp = 10ms T vj = T vj max, t p = 10ms T vj = 25°C, tp = 10ms T vj = T vj max, t p = 10ms T C = 100°C T vj = - 40°C...Tvj max VR R M 1600 V IFRMSM 80 A Id 134 A IFSM 650 550 A A A²s A²s I²t 2100 1500 V CES 1200 V IC 70 A IC R M 150 A P tot 500 W V GE ± 20 V VR R M 1200 V IF 35 A IFRM 70 A V ISOL 2,5...