СВЕДЕНИЯ О ПРИЕМКЕ Микросхемы интегральные 198НТ3ТВК, 198НТ3Т1ВК соответствуют техническим условиям АЕЯР.431410.245 ТУ; ...
СВЕДЕНИЯ О ПРИЕМКЕ Микросхемы интегральные 198НТ3ТВК, 198НТ3Т1ВК соответствуют техническим условиям АЕЯР.431410.245 ТУ; ОСМ198НТ3Т1ВК соответствует техническим условиям АЕЯР.431410.245 ТУ и ПО.070.052 и признаны годными для эксплуатации. Приняты по извещению №_________от_________
Дата
МИКРОСХЕМЫ 198НТ3ТВК, 198НТ3Т1ВК, ОСМ198НТ3Т1ВК Код ОКП: 6331328335 – 198НТ3ТВК; 6331328345 – 198НТ3Т1ВК, ОСМ198НТ3Т1ВК
ЭТИКЕТКА
САРЛ.431130.030 ЭТ3 Микросхемы интегральные 198НТ3ТВК, 198НТ3Т1ВК, ОСМ198НТ3Т1ВК – матрица транзисторов
NPN типа. Схема расположения выводов
Штамп ОТК
Штамп представителя заказчика
Перепроверка произведена__________________
Дата
Приняты по извещению №_________от_________
Дата
www.DataSheet.co.kr
Штамп ОТК
Штамп представителя заказчика
Нумерация выводов показана условно. Ключ показывает начало отсчета выводов. Масса не более 0,8 г. Схема электрическая принципиальная 12 1 7 4 VТ2 VТ3 VТ4 VТ5
УКАЗАНИЯ ПО ЭКСПЛУАТАЦИИ «ВНИМАНИЕ-Соблюдайте меры предосторожности при работе – ПРИБОРЫ, ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ К СТАТИЧЕСКОМУ ЭЛЕКТРИЧЕСТВУ». Допустимое значение статического потенциала 200 В.
10
11
2
3
8
9
5
6
Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/
ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ при температуре ( 25±5 ) °C Наименование параметра, единица измерения, режим измерения Статический коэффициент передачи тока при:UСВ=3 В; IЕ= -0,5 мА Буквенное обозначение h21Е Норма не менее не более 200
Содержание драгоценных металлов в 1000 шт. микросхем: - золото Цветных металлов н...