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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module IGBT-modules
FB20R06W1E3
EasyPIM™ModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC EasyPIM™modulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC
VorläufigeDaten/PreliminaryData
J
VCES = 600V IC nom = 20A / ICRM = 40A
TypischeAnwendungen • Hilfsumrichter • Klimaanlagen • Motorantriebe
ElektrischeEigenschaften • NiedrigeSchaltverluste • TrenchIGBT3 • VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten • NiedrigesVCEsat
MechanischeEigenschaften • Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand • KompaktesDesign • Lötverbindungstechnik • Robuste Montage durch integrierte
Befestigungsklammern
TypicalApplications • AuxiliaryInverters • AirConditioning • MotorDrives
ElectricalFeatures • LowSwitchingLosses • TrenchIGBT3 • VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient • LowVCEsat
MechanicalFeatures • Al2O3SubstratewithLowThermalResistance
• Compactdesign • SolderContactTechnology • Rugged mounting due to integrated mounting
clamps
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:DK approvedby:MB
ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek)
Digit 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23
dateofpublication:2013-10-29 revision:2.1
ULapproved(E83335)
1
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module IGBT-modules
FB20R06W1E3
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 95°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175
Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage
VorläufigeDaten PreliminaryData
VCES
IC nom IC
ICRM
Ptot
VGES
600 20 29 40
94,0
+/-20
V
A A
A
W
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage
IC = 20 A, VGE = 15 V IC = 20 A, VGE = 15 V IC = 20 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage
IC = 0,29 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
InternerGatewiderstand Internalgateresistor
Tvj = 25°C
Eingangskapazität Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 20 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGon = 18 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload
IC = 20 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGon = 18 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 20 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGoff = 18 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload
IC = 20 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGoff = 18 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse
IC = 20 A, VCE = 300 V, LS = 50 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 1800 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 18 Ω
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse
IC = 20 A, VCE = 300 V, LS = 50 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 4100 V/µs (Tvj = 150°C)Tvj = 125°C
RGoff = 18 Ω
Tvj = 150°C
Kurzschlußverhalten SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions
VCE sat VGEth QG RGint Cies Cres ICES IGES td on
tr
td off
tf
Eon
Eoff ISC RthJC RthCH Tvj op
min. typ. max.
1,55 2,00 1,70 1,80
V V V
4,9 5,8 6,5 V
0,20 µC
0,0 Ω
1,10 nF
0,034 nF
1,0 mA
400 nA
0,02 0,02
0,02
0,013 0,016
0,017
0,12 0,14
0,15
0,07 0,095
0,10
0,32 0,44
0,49
0,44 0,56
0,59
140 100
µs µs µs
µs µs µs
µs µs µs
µs µs µs
mJ mJ mJ
mJ mJ mJ
A A
1,45 1,60 K/W
1,25
K/W
-40 150 °C
preparedby:DK approvedby:MB
dateofpu.