H5551

N P N S I L I C O N T RAN S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H5551 ¨€ AMPLIFIER TRANSISTOR Collector-Emitter Voltage:Vceo=160V. CollectorDissipation:Pc(max)=625mW ¨€ T stg ¡ ª Tj¡ª ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS£¨ Storage Temperature¡ - ¡ Junction Temperature¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ Collector Dissipation¡- ¡Collector-Base Voltage¡-¡ Collector-Emitter Voltage¡-¡ Emitter-Base Voltage¡ Collector Current¡- ¡- ¡¡-¡-¡¡- ¡¡¡- ¡¡- ¡- ¡¡-¡¡-¡-¡¡- ¡¡-¡¡¡¡- ¡¡- ¡- ¡¡¡- ¡¡- Ta=25¡æ£© -55~150¡æ 150¡æ 625mW 180V 160V ¡ - 6V 600mA TO-92 www.DataSheet4U.com PC¡ª VCBO¡ª VCEO¡ª V EB O ¡ ª ¡ ª IC¡ª 1¨D Emitter£¬ E 2¨D Base£¬ B 3¨D Collector£¬ C ¨€ ELECTRICAL CHARACTERISTICS£¨ Characteristics Collector-Base Breakdown Voltage Collector-Emitter Breakdown Voltage Emitter-Base Breakdown Voltage Collector Cut-off Current Emitter-Base Cut-off Current Ta=25¡æ£© Typ Max Unit Test Conditions Symbol Min BVCBO BVCEO BVEBO ICBO IEBO HFE£¨ HFE£¨ HFE£¨ 1£© 2£© 3£© 180 160 6 50 50 80 80 30 280 0.15 0.2 1 1 V V V nA nA IC=100¦Ì IE=10¦Ì A, IE=0 A£¬ IC=0 IC=1mA, IB=0 VCB=120V, IE=0 VEB=4V, IC=0 VCE=5V, IC=1mA VCE=5V, IC=10mA VCE=5V, IC=50mA DC Current Gain VCE(sat1) VCE(sat2) VBE(sat1) VBE(sat2) Collector- Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage V V V V MHz IC=10mA, IB=-1mA IC=50mA, IB=5mA IC=10mA, IB=1mA IC=50mA, IB=5mA, VCE=10V, IC=10mA F=100MHz fT Current Gain-Bandwidth Product 100 300 ...