PNP Silicon Transistor
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P N P S I L I C O N T RAN S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
H327
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T s...
Description
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P N P S I L I C O N T RAN S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
H327
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T stg ¡ ª Tj¡ª PC¡ª VCBO¡ª VCEO¡ª
SWITCHING AND AMPLFIER APPLICATIONS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS£¨
Storage Temperature¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ Junction Temperature¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ Collector Dissipation¡-¡ -¡ -¡ Collector-Base Voltage¡-¡ -¡ -¡ -¡ Collector-Emitter Voltage¡-¡ -¡ -¡ -¡ Emitter-Base Voltage¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ Collector Current¡ - ¡ - ¡ -¡ - ¡ -¡ - ¡ - ¡
Suitable for AF-Driver stages and low power output stages
Ta=25¡æ£©
-55~150¡æ 150¡æ 625mW -50V -45V -5V -500mA
TO-92
1¨D Collector£¬ C 2¨D Base£¬ B 3¨D Emitter£¬ E
V EBO ¡ ª ¡ ª IC¡ª
¨€
ELECTRICAL CHARACTERISTICS£¨
Characteristics Collector-Base Breakdown Voltage Collector-Emitter Breakdown Voltage Emitter-Base Breakdown Voltage Collector Cut-off Current Emitter-Base Cut-off Current
Ta=25¡æ£©
Typ Max Unit Test Conditions
Symbol
Min
BVCBO BVCEO BVEBO ICBO IEBO HFE£¨ HFE£¨
1£© 2£©
-50 -45 -5 -100 -10 100 40 600 -0.7 -1.2 100 8 ¦Ì
V V V nA A
IC=-100¦Ì IE=-100¦Ì
A, IE=0 A£¬ IC=0
IC=-10mA, IB=0 VCB=-20V, IE=0 VEB=-5V, IC=0 VCE=-1V, IC=-100mA VCE=-1V, IC=-500mA
DC Current Gain Collector- Emitter Saturation Voltage Base-Emitter On Voltage Current Gain-Bandwidth Product
Collector-Base Capacitance
VCE(sat) VBE(ON) fT Ccbo
V V MHz pF
IC=-500mA, IB=-50mA VCE=-1V, IC=-500mA VCE=-5V, IC=-10mA VCB=-10V, IE=0 F=1MHz
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hFE Classification
16 100¡ª 250 160¡ª 25 40...
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