NPN Silicon Transistor
N PN S I L I C O N T R A N S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
H9018
¨€ APPLICATIONS
AM/FM AMPLIF...
Description
N PN S I L I C O N T R A N S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
H9018
¨€ APPLICATIONS
AM/FM AMPLIFIER£¬ LOCAL OSCILLATOR OF FM/VHF TUNER ¨€ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS£¨ Ta=25¡æ£©
T stg ¡ ª ¡ ªStorage Temperature¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-55~150¡æ T j ¡ª¡ªJunction Temperature¡-¡-¡-¡-¡¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡150¡æ PC¡ª¡ªCollector Dissipation¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡400mW VCBO ¡ ª ¡ ªCollector-Base Voltage¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡30V VCEO ¡ª¡ª Collector-Emitter Voltage¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡15V VE B O ¡ ª ¡ ªEmitter -Base Voltage¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡5V I C ¡ ª ¡ ªCollector Current ¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡50mA ¨€ 1¨D Emitter£¬ E 2¨D Base£¬ B 3¨D Collector£¬ C TO-92
ELECTRICAL CHARACTERISTICS£¨ Ta=25¡æ£©
Characteristics Collector Cut-off Current Min Typ Max 0. 05 Uni t ¦Ì A Test Conditions VCB =12 V, I E=0
Symbol
ICBO HFE VCE(sat) BVCBO BVCEO BVEBO Cob fT
DC Current Gain Collector- Emitter Saturation Voltage
Collector-Base Breakdown Voltage Collector-Emitter Breakdown Voltage Emitter-Base Breakdown Voltage
54
30 15 5
198 0. 5 V
V
VCE=5V, IC=1mA IC=10mA, IB=1mA IC=100¦Ì A, IE=0 V IC=1mA, IB=0 V IE=100¦Ì A£¬ IC=0 pF VCB=10V, IE=0£¬ f=1MHz MHz VCE =5V, IC=5mA
Output Capacitance
Current Gain-Bandwidth Product 700
1.3
1.7
¨€ hFE Classification
F 54 ¡ª 80
G
72 ¡ª 108 97
H
¡ª 146
I
132 ¡ª 198
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
H9018
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