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SFH487

Siemens Semiconductor Group

GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880nm GaAIAs Infrared Emitter 880 nm

GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 Area not flat 0.7 0.4 0.6 0.4 5.2 4.5 ...


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SFH487

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Description
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 Area not flat 0.7 0.4 0.6 0.4 5.2 4.5 2.54 mm spacing 0.8 0.4 4.1 3.9 4.0 3.6 Approx. weight 0.3 g Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren q Hohe Zuverlässigkeit q Hohe Impulsbelastbarkeit q Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger q Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 409 Anwendungen q IR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunk- Features q Fabricated in a liquid phase epitaxy process q High reliability q High pulse handling capability q Good spectral match to silicon photodetectors q Same package as SFH 309, SFH 409 Applications q IR remote control for hifi and TV sets, video und Videogeräten, Lichtdimmern q Lichtschranken bis 500 kHz tape recorder, dimmers q Light-reflection switches (max. 500 kHz) Typ Type SFH 487 SFH 487-2 Bestellnummer Ordering Code Q62703-Q1095 Q62703-Q2174 Gehäuse Package 3-mm-LED-Gehäuse (T1), klares violettes EpoxyGieβharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Anodenkennzeichnung: kürzerer Anschluβ 3 mm LED package (T1), violet-colored transparent epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), anode marking: short lead Semiconductor Group 1 1997-11-01 fex06250 1.8 1.2 29 6.3 5.9 27 Cathode (SFH 409) Anode (SFH 487) ø3.1 ø2.9 (3.5) Chip position 0.6 0.4 GEX06250 SFH 487 Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Be...




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