GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880nm GaAIAs Infrared Emitter 880 nm
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm)
SFH 487
Area not flat
0.7 0.4
0.6 0.4
5.2 4.5
...
Description
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm)
SFH 487
Area not flat
0.7 0.4
0.6 0.4
5.2 4.5
2.54 mm spacing
0.8 0.4
4.1 3.9
4.0 3.6
Approx. weight 0.3 g
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren q Hohe Zuverlässigkeit q Hohe Impulsbelastbarkeit q Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger q Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 409 Anwendungen
q IR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunk-
Features q Fabricated in a liquid phase epitaxy process q High reliability q High pulse handling capability q Good spectral match to silicon photodetectors q Same package as SFH 309, SFH 409 Applications
q IR remote control for hifi and TV sets, video
und Videogeräten, Lichtdimmern q Lichtschranken bis 500 kHz
tape recorder, dimmers q Light-reflection switches (max. 500 kHz)
Typ Type SFH 487 SFH 487-2
Bestellnummer Ordering Code Q62703-Q1095 Q62703-Q2174
Gehäuse Package 3-mm-LED-Gehäuse (T1), klares violettes EpoxyGieβharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Anodenkennzeichnung: kürzerer Anschluβ 3 mm LED package (T1), violet-colored transparent epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), anode marking: short lead
Semiconductor Group
1
1997-11-01
fex06250
1.8 1.2 29 6.3 5.9 27 Cathode (SFH 409) Anode (SFH 487)
ø3.1 ø2.9
(3.5) Chip position
0.6 0.4
GEX06250
SFH 487
Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Be...
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