GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode 660 nm
GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm)
SFH 4860
Chip position
2.54 mm spacing
ø0.45
...
Description
GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm)
SFH 4860
Chip position
2.54 mm spacing
ø0.45
14.5 12.5
ø4.8 ø4.6
Cathode
4.05 3.45
GMO06983
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil q Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden q Sehr hoher Wirkungsgrad q Hohe Zuverlässigkeit q Kurze Schaltzeiten Anwendungen q Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb bis 5 MHz q Hermetisch dichtes Gehäuse
Features q Radiation without IR in the visible red range q Cathode is electrically connected to the case q Very high efficiency q High reliability q Short switching time Applications q Photointerrupters q Hermetically sealed package
Typ Type SFH 4860
Bestellnummer Ordering Code Q62702-P5053
Gehäuse Package 18 A3 DIN 41876 (TO-18), Bodenplatte, Plankappe, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Anodenkennzeichnung: Nase am Gehäuseboden 18 A3 DIN 870 (TO -18), flat glass cap, lead spacing 2.54 mm (1/10’’), anode marking: projection at package bottom
Semiconductor Group
1
1998-08-25
fmo06983
Flat glass cap ø2.54
1 0.9 .1 1.1 .9 0
5.5 5.2
(2.7)
SFH 4860
Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0 Surge...
Similar Datasheet