Document
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm)
SFH 485 P
Area not flat 0.6 0.4
2.54 mm spacing 0.8 0.4
5.0 4.2
Cathode 3.85 3.35
ø5.1 ø4.8
5.9 5.5
1.8 1.2
29 27
1.0 0.5 Chip position
0.6 0.4
fex06306
GEX06306
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren q Enge Toleranz: Chipoberfläche/ Bauteiloberkante q Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger q Sehr plane Oberfläche q Gehäusegleich mit SFH 217 Anwendungen
q Lichtschranken für Gleich- und
Features q GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy process q Small tolerance: Chip surface to case surface q Good spectral match to silicon photodetectors q Plane surface q Same package as SFH 217 Applications
q Light-reflection switches for steady and
Wechsellichtbetrieb bis 500 kHz
q LWL
varying intensity (max. 500 kHz)
q Fibre optic transmission
Typ Type SFH 485 P
Bestellnummer Ordering Code Q62703-Q516
Gehäuse Package 5-mm-LED-Gehäuse, plan, klares violettes EpoxyGießharz, Lötspieße im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Anodenkennzeichnung: kürzerer Anschluß 5 mm LED package (T 1 3/4), plane violet-colored transparent epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), anode marking: short lead.
Semiconductor Group
1
1998-06-26
SFH 485 P
Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom, τ ≤ 10 µs Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand, freie Beinchenlänge max. 10 mm Thermal resistance, lead length between package bottom and PC-board max. 10 mm Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax, IF = 100 m A Spectral bandwidth at 50 % of Imax Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area Abstand Chipoberfläche bis Gehäusevorderseite Distance chip front to case surface Symbol Symbol λpeak Wert Value 880 Einheit Unit nm Symbol Symbol Wert Value – 55 ... + 100 100 5 100 2.5 200 375 Einheit Unit °C °C V mA A mW K/W
Top; Tstg Tj VR IF IFSM Ptot RthJA
∆λ
80
nm
ϕ
± 40 0.16 0.4 × 0.4 0.5 ... 1
Grad deg. mm2 mm mm
A L×B L×W H
Semiconductor Group
2
1998-06-26
SFH 485 P
Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics (cont’d) Bezeichnung Description Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Durchlaßspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs Sperrstrom Reverse current VR = 5 V Gesamtstrahlungsfluß Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, Symbol Symbol Wert Value 0.6/0.5 Einheit Unit µs
tr, tf
Co
25
pF
VF IR
1.5 (< 1.8) 3.0 (< 3.8) 0.01 (≤ 1)
V µA
Φe
25
mW
TCI
– 0.5
%/K
IF = 100 mA
Temperature coefficient or Ie or Φe, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von λpeak, IF = 100 mA Temperature coefficient of λpeak, IF = 100 mA
TCV TCλ
–2 0.25
mV/K nm/K
Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Grouping at radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Description Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Strahlstärke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 µs Symbol Werte Values Einheit Unit
Ie
> 3.15
mW/sr
Ie typ.
48
mW/sr
Semiconductor Group
3
1998-06-26
SFH 485 P
Relative spectral emission Irel = f (λ)
100 Ι rel % 80
OHR00877
Radiant intensity
Ie = f (IF) Ie 100 mA
OHR00878
Single pulse, tp = 20 µs
10 2 Ιe Ι e (100mA) 10 1
Max. permissible forward current IF = f (TA)
125
OHR00880
Ι F mA
100
60
10 0
75
40
10 -1
50
20
10 -2
25
0 750
10 -3
800
850
900
950 nm 1000 λ
10 0
10 1
10 2
10 3 mA 10 4 ΙF
0
0
20
40
60
80 ˚C 100 T
Forward current, IF = f (VF) Single pulse, tp = 20 µs
10 1
OHR00881
Permissible pulse handling capability IF = f (τ), TA = 25 °C, duty cycle D = parameter
10 4 mA
OHR00886
Forward current versus lead length between the package bottom and the PC-board IF = f (I), TA = 25 °C
120 mA
OHR00949
ΙF
A
ΙF
10 0
D = 0.005 0.01 0.02 0.05
10 3 0.1 0.2
Ι F 100
80
10 -1
60
0.5 10 2 DC
40
10
-2
D=
10 -3
tp T
tp
ΙF
20
0
1
2
3
4
5
6
V VF
8
T 10 1 -5 -4 -3 -2 10 10 10 10 10 -1 10 0
0
10 1 s 10 2 tp
0
5
10
15
20
25 mm 30
Radiation characteristics Irel = f (ϕ)
40 30 20
ϕ
10
0 1.0
OHR01893
50 0.8 60
0.6
70
0.4
80 90
0.2 0
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
Se.