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NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
SFH 3400
Chip position
1.1 1.0 0.3 0.2
4.8 4.4 Active area 0.55 0.7 0.3
0.8 0.6
Collector
2.7 2.5
Emitter
GEO06953
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q Speziell geeignet für Anwendungen im
2.1 1.9
0.5 0.3 1.1 0.9
0.1 0.0
not connected
Features
q Especially suitable for applications from
Bereich von 460 nm bis 1080 nm
q Hohe Linearität q SMT-Bauform ohne Basisanschluß,
460 nm to 1080 nm
q High linearity q SMT package without base connection,
geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten (JEDEC level 4) q Nur gegurtet lieferbar Anwendungen
q Umgebungslicht-Detektor q Lichtschranken für Gleich- und Wechsel-
suitable for vapor phase and IR reflow soldering (JEDEC level 4) q Available only on tape and reel Applications
q q q q
lichtbetrieb q Industrieelektronik q „Messen/Steuern/Regeln“
Ambient light detector Photointerrupters Industrial electronics For control and drive circuits
Semiconductor Group
1
1998-04-27
SFH 3400
Typ Type SFH 3400 SFH 3400-2 SFH 3400-3
Bestellnummer Ordering Code Q62702-P1796 Q62702-P1103 Q62702-P1805
Gehäuse Package Klares Epoxy-Gieβharz, Kollektorkennzeichung: breiter Anschluß Transparent epoxy resin, collector marking: broad lead
Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektor-Emitterspannung, t < 120 s Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs Collector surge current Emitter-Kollektorspannung Emitter-collector voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Wärmewiderstand für Montage auf PC-Board Thermal resistance for mounting on pcb Symbol Symbol Top; Tstg VCE VCE IC ICS VEC Ptot RthJA Wert Value – 40 ... + 85 20 70 50 100 7 120 450 Einheit Unit
o
C
V V mA mA V mW K/W
Semiconductor Group
2
1998-04-27
SFH 3400
Kennwerte (TA = 25 oC, λ = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10% von Smax Spectral range of sensitivity S = 10% of Smax Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area Abmessung der Chipfläche Dimensions of chip area Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle Kapazität, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance Dunkelstrom Dark current VCE = 10 V, E = 0 Symbol Symbol λS max λ Wert Value 850 Einheit Unit nm
460 ... 1080 nm
A LxB LxW H ϕ CCE ICEO
0.55 1x1 0.2 ... 0.3 ± 60 15 10 (≤ 200)
mm2 mm x mm mm Grad deg. pF nA
Semiconductor Group
3
1998-04-27
SFH 3400
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. Bezeichnung Description Fotostrom, λ = 950 nm Photocurrent Ee = 0.1 mW/cm2, VCE = 5 V Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, VCE = 5 V Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ Kollektor-EmitterSättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage IC = IPCEmin1) x 0.3, Ee = 0.1 mW/cm2
1) 1)
Symbol Symbol
Wert Value -1 -2 -3
Einheit Unit
IPCE IPCE tr , tf
63 ... 125 1.65 16
100 ... 200 160 ... 320 2.6 24 4.2 34
µA mA µs
VCEsat
170
170
170
mV
IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group
Directional characteristics Srel = f (ϕ)
40 30 20 10
ϕ
0 1.0
OHF01402
50 0.8 60
0.6
70
0.4
80
0.2 0
90
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
Semiconductor Group
4
1998-04-27
SFH 3400
TA = 25 oC, λ = 950 nm Rel.spectral sensitivity Srel = f (λ)
100
OHF02332
Photocurrent IPCE = f (Ee), VCE = 5 V
10 1 mA 1 2 3
OHF00326
Collector-emitter capacitance CCE = f (VCE), f = 1 MHz
50
OHF02344
S rel %
80 70 60 50 40 30 20 10 0 400 500 600 700 800 900 nm 1100 λ
Ι pce
C CE pF
40
10 0
10 -1
30
10 -2
20
10 -3
10
10 -4 -3 10
10 -2
mW/cm 2 Ee
10 0
0 -2 10
10 -1
10 0
10 1
V 10 2 VCE
Photocurrent IPCE = f (TA), VCE = 5 V, normalized to 25 °C
Ι PCE 25
1.4 1.2 1.0
Dark current ICEO = f (TA), VCE = 10 V, E = 0
OHF01524
Total power dissipation Ptot = f (TA)
140 mW Ptot 120 100 80
OHF00309
Ι PCE
1.6
Ι CEO
10 2 nA
OHF02342
10 1
0.8 0.6 0.4 0.2 0 -25
10 0
60 40 20
10 -2
10 -1
0
25
50
75 C 100 TA
0
20
40
60
80 ˚C 100 TA
0
0
20
40
60
80 C 100 TA
Photocurrent IPCE = f (VCE)
Ι pce
3.0 mA 2.5 1.0 mW/cm 2
OHF00327
Dark current ICEO = f (VCE), E = 0
Ι CEO
10 2 nA
OHF02341
10 1
2.0
1.5 0.5 mW/cm 2 1.0 0.25 mW/cm 2 0.5 0.1 mW/cm 2 0
10 0
10 -1
10 -2
0 10 20 30 40 50 60 V 70 Vce
0
10
20
30
40
50
V 70 V CE
Semiconductor Group
5
1998-04-27
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