MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document by MJE4343/D
High-Voltage Ċ High Power Transistors
. . . de...
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document by MJE4343/D
High-Voltage Ċ High Power
Transistors
. . . designed for use in high power audio amplifier applications and high voltage switching
regulator circuits. High Collector–Emitter Sustaining Voltage —
NPN PNP VCEO(sus) = 160 Vdc — MJE4343 MJE4353 High DC Current Gain — @ IC = 8.0 Adc hFE = 35 (Typ) Low Collector–Emitter Saturation Voltage — VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 8.0 Adc MAXIMUM RATINGS
MJE4343 MJE4353
16 AMPERE POWER
TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 160 VOLTS
NPN PNP
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Rating Symbol VCEO VCB VEB IC IB Max 160 160 7.0 16 20 Unit Vdc Vdc Vdc Adc Adc Collector–Emitter Voltage Collector–Base Voltage Emitter–Base Voltage Collector Current — Continuous Peak (1) Base Current — Continuous 5.0 Total Power Dissipation @ TC = 25_C Operating and Storage Junction Temperature Range PD 125 Watts TJ, Tstg – 65 to + 150
CASE 340D–02 TO–218 TYPE
_C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol RθJC
Max 1.0
Unit
Thermal Resist...