DatasheetsPDF.com

MJD31 Dataheets PDF



Part Number MJD31
Manufacturers Motorola
Logo Motorola
Description SILICON POWER TRANSISTORS
Datasheet MJD31 DatasheetMJD31 Datasheet (PDF)

MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by MJD31/D Complementary Power Transistors • • • • MJD31,C* PNP MJD32,C* *Motorola Preferred Device NPN DPAK For Surface Mount Applications Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix) Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix) Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix) Electrically Similar to Popular T.

  MJD31   MJD31



Document
MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by MJD31/D Complementary Power Transistors • • • • MJD31,C* PNP MJD32,C* *Motorola Preferred Device NPN DPAK For Surface Mount Applications Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix) Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix) Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix) Electrically Similar to Popular TIP31 and TIP32 Series ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ MAXIMUM RATINGS Rating Symbol VCEO VCB VEB IC IB MJD31 MJD32 40 40 MJD31C MJD32C 100 100 Unit Vdc Vdc Vdc Adc Adc Collector–Emitter Voltage Collector–Base Voltage Emitter–Base Voltage 5 3 5 1 Collector Current — Continuous Peak Base Current Total Power Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C PD PD 15 0.12 Watts W/_C Watts W/_C Total Power Dissipation* @ TA = 25_C Derate above 25_C Operating and Storage Junction Temperature Range 1.56 0.012 TJ, Tstg – 65 to + 150 SILICON POWER TRANSISTORS 3 AMPERES 40 AND 100 VOLTS 15 WATTS CASE 369A–13 CASE 369–07 _C THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic MINIMUM PAD SIZES RECOMMENDED FOR SURFACE MOUNTED APPLICATIONS 0.190 4.826 Symbol RθJC RθJA TL Max 8.3 80 Unit Thermal Resistance, Junction to Case _C/W _C/W _C Thermal Resistance, Junction to Ambient* Lead Temperature for Soldering Purposes * These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad size recommended. 0.243 6.172 0.063 1.6 inches mm Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value. REV 1 © Motorola, Inc. 1995 Motorola Bipolar Power Transistor Device Data 0.118 3.0 0.07 1.8 0.165 4.191 260 1 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ.


MJD31 MJD31 MJD31B


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site.
(Privacy Policy & Contact)