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GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
LD 274
Area not flat 0.6 0.4
2.54 mm spacing 0.8 0.4
9.0 8.2 7.8 7.5
ø5.1 ø4.8
5.9 5.5
Approx. weight 0.5 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q Sehr enger Abstrahlwinkel q GaAs-IR-LED, hergestellt im q q q q
Features
q Extremely narrow half angle q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a q q q q
Schmelzepitaxieverfahren Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gruppiert lieferbar Gehäusegleich mit SFH 484
liquid phase epitaxy process High reliability High pulse handling capability Available in groups Same package as SFH 484
Anwendungen
q IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Applications
q IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern, Geräten Typ Type LD 274 LD 274-21) LD 274-3
1) 1)
tape recorders, dimmers, of various equipment Gehäuse Package 5-mm-LED-Gehäuse (T 1 3/4), graugetöntes EpoxyGießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Kathodenkennzeichnung: Kürzerer Lötspieß, flat 5 mm LED package (T 1 3/4), grey colored epoxy resin lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode marking: shorter solder lead, flat
Bestellnummer Ordering Code Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820
Nur auf Anfrage lieferbar. Available only on request.
Semiconductor Group
1
1997-11-01
fex06260
1.8 1.2 29 27 Cathode (Diode) Collector (Transistor)
5.7 5.1 Chip position
0.6 0.4
GEX06260
LD 274
Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA, tp = 20 ms Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 100 m A, tp = 20 ms Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktive Chipfläche Dimension of the active chip area Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip front to lens top Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω Symbol Symbol λpeak Wert Value 950 Einheit Unit nm Symbol Symbol Wert Value – 55 ... + 100 100 5 100 3 165 450 Einheit Unit °C °C V mA A mW K/W
Top; Tstg Tj VR IF IFSM Ptot RthJA
∆λ
55
nm
ϕ
± 10 0.09 0.3 × 0.3
Grad mm2 mm
A L×B L×W H tr, tf
4.9 ... 5.5 1
mm µs
Semiconductor Group
2
1997-11-01
LD 274
Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Durchlaßspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs Sperrstrom, VR = 5 V Reverse current Gesamtstrahlungsfluß Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA Symbol Symbol Wert Value 25 Einheit Unit pF
Co
VF VF IR
Φe
1.30 (≤ 1.5) 1.90 (≤ 2.5) 0.01 (≤ 1) 15
V V µA mW
TCI
– 0.55
%/K
TCV TCλ
– 1.5 + 0.3
mV/K nm/K
Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.001 sr Grouping of radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of Ω = 0.001 sr Bezeichnung Description Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Strahlstärke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 µs
1) 1)
Symbol Symbol LD 274 Ie min Ie max 50 –
Wert Value LD 274-21) 50 100 LD 274-3 80 –
Einheit Unit mW/sr mW/sr
Ie typ.
350
600
800
mW/sr
Nur auf Anfrage lieferbar. Available only on request.
Semiconductor Group
3
1997-11-01
LD 274
Relative spectral emission Irel = f (λ)
100 %
OHR01938
Ie = f (IF) Ie 100 mA Single pulse, tp = 20 µs Radiant intensity
10 2
Max. permissible forward current IF = f (TA)
120
OHR00883
Ιe
OHR01038
Ι rel
Ι e (100 mA)
Ι F mA
100
80
10 1
60
80
R thjA = 450 K/W
60
40
10 0
20
40
20
0 880
920
960
1000
nm λ
1060
10 -1 10 -2
10 -1
10 0
A ΙF
10 1
0
0
20
40
60
80
100 ˚C 120 TA
Forward current IF = f (VF), single pulse, tp = 20 µs
ΙF
10 1 A
OHR01041
Radiation characteristics, Irel = f (ϕ)
40 30 20
ϕ
10
0 1.0
OHR01882
50 0.8
10 0 typ. max.
60
0.6
70
10 -1
0.4
80 90
0.2 0
10 -2
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4 V 4.5 VF
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
Permissible pulse handling capability IF = f (τ), TC ≤ 25 °C, duty cycle D = parameter
10 4
OHR00860
Ι F mA 5
D = 0.005
0.01
tp D= tp T T
ΙF
0.02 10
3
0.1 0.2
0.05
5
0.5
DC 10 2 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 s 10 2 tp
S.