GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
LD 274
Area not flat 0.6 0.4
2.54 mm spacing 0.8 0.4
9.0 8.2 7.8 7.5
ø...
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
LD 274
Area not flat 0.6 0.4
2.54 mm spacing 0.8 0.4
9.0 8.2 7.8 7.5
ø5.1 ø4.8
5.9 5.5
Approx. weight 0.5 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q Sehr enger Abstrahlwinkel q GaAs-IR-LED, hergestellt im q q q q
Features
q Extremely narrow half angle q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a q q q q
Schmelzepitaxieverfahren Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gruppiert lieferbar Gehäusegleich mit SFH 484
liquid phase epitaxy process High reliability High pulse handling capability Available in groups Same package as SFH 484
Anwendungen
q IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Applications
q IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern, Geräten Typ Type LD 274 LD 274-21) LD 274-3
1) 1)
tape recorders, dimmers, of various equipment Gehäuse Package 5-mm-LED-Gehäuse (T 1 3/4), graugetöntes EpoxyGießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Kathodenkennzeichnung: Kürzerer Lötspieß, flat 5 mm LED package (T 1 3/4), grey colored epoxy resin lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode marking: shorter solder lead, flat
Bestellnummer Ordering Code Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820
Nur auf Anfrage lieferbar. Available only on request.
Semiconductor Group
1
1997-11-01
fex06260
1.8 1.2 29 27 Cathode (Diode) Collector (
Transistor)
5.7 5.1 Chip position
0.6 0.4
GEX06260
LD 27...