MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document by TIP33B/D
Complementary Silicon High-Power Transistors
. ...
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document by TIP33B/D
Complementary Silicon High-Power
Transistors
. . . for general–purpose power amplifier and switching applications. 10 A Collector Current Low Leakage Current — ICEO = 0.7 mA @ 60 V Excellent dc Gain — hFE = 40 Typ @ 3.0 A High Current Gain Bandwidth Product — hfe = 3.0 min @ IC = 0.5 A, f = 1.0 MHz
TIP33B* TIP33C
PNP TIP34B* TIP34C
*Motorola Preferred Device
NPN
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ v ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol VCEO VCB VEB IC IB TIP33B TIP34B 80 V 80 V TIP33C TIP34C 100 V 100 V Unit Vdc Vdc Vdc Adc Adc Collector–Emitter Voltage Collector–Base Voltage Emitter–Base Voltage 5.0 10 15 Collector Current — Continuous Peak (1) Base Current — Continuous Total Power Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C 3.0 PD 80 0.64 Watts W/_C Operating and Storage Junction Temperature Range TJ, Tstg – 65 to + 150
10 AMPER...