D45VH10

www.DataSheet4U.com D44VH10 (NPN), D45VH10 (PNP) Complementary Silicon Power Transistors These complementary silicon power transistors are designed for high−speed switching applications, such as switching regulators and high frequency inverters. The devices are also well−suited for drivers for high power switching circuits. http://onsemi.com Fast Switching − Key Parameters Specified @ 100_C Low Collector−Emitter Saturation Voltage − tf = 90 ns (Max) 15 A COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 80 V, 83 W MARKING DIAGRAM 4 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ MAXIMUM RATINGS Rating Symbol VCEO VCEV VEB IC ICM PD Value 80 Unit Vdc Vdc Vdc Adc Collector−Emitter Voltage Collector−Emitter Voltage Emitter Base Voltage 100 7.0 15 20 Collector Current −Continuous −Peak (Note 1) Total Power Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C Operating and Storage Junction Temperature Range 83 0.67 W W/_C _C TJ, Tstg −55 to 150 Complementary Pairs Simplify Circuit Designs Pb−Free Packages are Available* ...