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DAP208 Dataheets PDF



Part Number DAP208
Manufacturers Diotec Semiconductor
Logo Diotec Semiconductor
Description Silicon-Twin Diodes Center tap
Datasheet DAP208 DatasheetDAP208 Datasheet (PDF)

DAN 208 / DAP 208 (1.2 W) Silicon-Twin Diodes Center tap Silizium-Doppeldioden Mittelpunktschaltung Nominal power dissipation Nenn-Verlustleistung Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 3 Pin-Plastic case 3 Pin-Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. Dimensions / Maße in mm 1.2 W 150 V 8.5 x 3.5 x 6.6 [mm] 0.6 g see page 22 s. Seite 22 Standard packaging: bulk Standard Lieferform: lose im Karton "DAP": common anodes / gemeinsame Anoden "DAN": common cathode.

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DAN 208 / DAP 208 (1.2 W) Silicon-Twin Diodes Center tap Silizium-Doppeldioden Mittelpunktschaltung Nominal power dissipation Nenn-Verlustleistung Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 3 Pin-Plastic case 3 Pin-Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. Dimensions / Maße in mm 1.2 W 150 V 8.5 x 3.5 x 6.6 [mm] 0.6 g see page 22 s. Seite 22 Standard packaging: bulk Standard Lieferform: lose im Karton "DAP": common anodes / gemeinsame Anoden "DAN": common cathodes / gemeinsame Kathoden Maximum ratings Type Typ DAN 208 DAP 208 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 100 100 TA = 25/C Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 150 150 Max. average forward rectified current, R-load, for one diode operation only for simultaneous operation Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last, für eine einzelne Diode bei gleichzeitigem Betrieb Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle IFAV IFAV IFAV IFAV IFSM 1.0 A 1) 2.0 A 1) 1.0 A 1) 2.0 A 1) 10 A TU = 25/C TA = 25/C 1 ) Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten 28.02.2002 354 DAN 208 / DAP 208 (1.2 W) Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS – 50…+150/C – 50…+150/C Kennwerte Tj = 25/C Tj = 25/C IF = 1 A VR = 100 V VF IR RthA < 1.2 V 1) < 10 :A < 45 K/W 2) Characteristics Forward voltage Durchlaßspannung Leakage current Sperrstrom Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft 1 2 ) Valid for one diode – Gültig für eine Diode ) Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten 28.02.2002 355 .


DAP202U DAP208 DAP209


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