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AG12M

Diotec Semiconductor

Silicon Rectifier Cells with polysiloxan passivation

AG 12A … AG 12M Silicon Rectifier Cells with polysiloxan passivation Silizium-Gleichrichterzellen mit Polysiloxan-Passiv...


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Description
AG 12A … AG 12M Silicon Rectifier Cells with polysiloxan passivation Silizium-Gleichrichterzellen mit Polysiloxan-Passivierung Nominal current – Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Weight approx. – Gewicht ca. Dimensions / Maße in mm 12 A 50…1000 V 0.3 g Standard packaging bulk Standard Lieferform lose Maximum ratings and Characteristics Type Typ AG 12A AG 12B AG 12D AG 12G AG 12J AG 12K AG 12M Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 TT = 100/C f > 15 Hz TA = 25/C TA = 25/C Kenn- und Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 80 130 250 450 700 1000 1300 12 A 1) 60 A 1) 500 A 1250 A2s – 50...+150/C – 50...+150/C < 0.95 V < 10 :A Max. forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Forward voltage Durchlaßspannung Leakage current – Sperrstrom Tj = 25/C Tj = 25/C IFAV IFRM IFSM i2t Tj TS IF = 12 A VR = VRRM VF IR 1 400 ) Max. temperature of the terminals TT = 100/C – Max. Temperatur der Kontaktflächen TT = 100/C 28.02.2002 ...




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