BC858A

BC856 ... BC860 BC856 ... BC860 PNP Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors Si-Epi-Planar Universaltransistoren für die Oberflächenmontage Version 2015-05-12 2.9 ±0.1 0.4+0.1 -0.05 3 Type Code 2.4 ±0.2 1.3±0.1 1.1+0.1 -0.2 Power dissipation – Verlustleistung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. 12 1.9±0.1 Dimensions - Maße [mm] 1=B 2=E 3=C Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle PNP 250 mW SOT-23 (TO-236) 0.01 g Maximum ratings (TA = 25°C) Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung Power dissipation – Verlustleistung Collector current – Kollektorstrom (dc) Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur B open E open C open - VCEO - VCBO - VEBO Ptot - IC - ICM Tj TS Grenzwerte (TA = 25°C) BC856 BC857 BC860 BC858 BC859 65 V 45 V 30 V 80 V 50 V 30 V 5V 250 mW 1) 100 mA 200 mA -55...+150°C -55…+150°C Characteristics (Tj = 25°C) DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis - VCE = 5 V, - IC = 10 µA Group A Group B Group C HFE hFE hFE - VCE = 5 V, - IC = 2 mA Group A Group B Group C HFE hFE hFE Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung 2) IC = 10 mA, IB = 0.5 mA IC...