SFH416

GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 Cathode 29 27 1.8 1.2 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 spacing 2.54mm 0.4 0.6 0.4 0.8 ø4.8 ø5.1 fexf6626 Area not flat Chip position Approx. weight 0.2 g Area not flat 0.6 6.9 6.1 0.4 5.7 5.5 4.8 4.2 0.6 0.4 GEO06645 5.9 5.5 2.54 mm spacing 0.8 0.4 ø5.1 ø4.8 1.8 1.2 29.5 27.5 Cathode (Diode) Collector (Transistor) Approx. weight 0.4 g 4.0 3.4 Chip position 0.6 0.4 GEX06630 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. fex06630 Wesentliche Merkmale q GaAs-IR-Lumineszenzdioden, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren q Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen q Sehr hoher Wirkungsgrad q Hohe Zuverlässigkeit q Hohe Impulsbelastbarkeit q SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300, SFH 203 Anwendungen q IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern q Gerätefernsteuerungen Features q GaAs infrared emitting diodes, fabricated in a ...