TDM31518

T  echcode®       N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION  The  TDM31518  uses  advanced  trench  technology  to  provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This  device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM  applications.  GENERAL FEATURES   RDS(ON) < 13.5mΩ @ VGS=10V   Reliable and Rugged   Lead free product is available   TO‐220 Package  Application   PWM applications   Load switch   Power management  DATASHEET TDM31518     ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25℃unless otherwise noted)  Parameter  Drain‐Source Voltage  Gate‐Source Voltage  Diode Continuous Forward Current  Drain Current @ Continuous  Drain Current @ Current‐Pulsed (Note 1)  Maximum Power Dissipation    Drain Current @ Continuous  Maximum Power Dissipation (TA=25℃)  Avalanche Energy, Single pulse(L=0.5mH)      Symbol  VDS  VGS  IS（TC=...