DatasheetsPDF.com

EMB60C06G Dataheets PDF



Part Number EMB60C06G
Manufacturers Excelliance MOS
Logo Excelliance MOS
Description MOSFET
Datasheet EMB60C06G DatasheetEMB60C06G Datasheet (PDF)

    N & P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:      N‐CH  P‐CH  BVDSS  RDSON (MAX.)  60V  ‐60V  60mΩ  90mΩ  ID  5A  ‐4A      Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  VGS  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Operating Junction & Storage Temp.

  EMB60C06G   EMB60C06G


Document
    N & P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:      N‐CH  P‐CH  BVDSS  RDSON (MAX.)  60V  ‐60V  60mΩ  90mΩ  ID  5A  ‐4A      Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  VGS  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range      THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient3  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.  2Duty cycle  1%  362.5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.      2015/5/21  ID  IDM  PD  Tj, Tstg  TYPICAL      EMB60C06G .


EMF50C02VA EMB60C06G EMB50D03G


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site.
(Privacy Policy & Contact)