EMBJ0N25Q

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  250V  D RDSON (MAX.)  1Ω  ID  1.1A  G   UIS, 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range    THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  VGS  ID  IDM  PD  Tj, Tstg  TYPICAL  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.  2Duty cycle  1％                  2012/8/15  EMBJ0N25Q LIMITS  ±20  1.1  0.7  4.4  6.25  2.5  ‐55 to 150  UNIT  V  A  W  °C...