EMBB0N10J

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  100V  D RDSON (MAX.)  220mΩ  ID  1.4A  G   UIS 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  PD  Tj, Tstg  EMBB0N10J LIMITS  ±20  1.4  0.85  5.6  1.25  0.8  ‐55 to 150  UNIT  V  A  W  °C  THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  Junction‐to‐ Ambient  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.  2Duty cycle  1％                  2013/8/30  TYPICAL    MAXIMUM  100  UNIT...