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EMBA2N10A Dataheets PDF



Part Number EMBA2N10A
Manufacturers Excelliance MOS
Logo Excelliance MOS
Description MOSFET
Datasheet EMBA2N10A DatasheetEMBA2N10A Datasheet (PDF)

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  100V  D RDSON (MAX.)  125mΩ  ID  14A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.1mH, ID=10A, RG=2.

  EMBA2N10A   EMBA2N10A



Document
    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  100V  D RDSON (MAX.)  125mΩ  ID  14A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.1mH, ID=10A, RG=25Ω  L = 0.05mH  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range    THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg  TYPICAL  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.  2Duty cycle  1.


EMBB0N10A EMBA2N10A EMBA1N10A


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