EMBA5C10G

    N & P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:      N‐CH  P‐CH  BVDSS  RDSON (MAX.)  100V  ‐100V  150mΩ  250mΩ  ID  3A  ‐2.5A      Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  VGS  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range      THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient3  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.  2Duty cycle  1％  362.5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.      2013/10/8  ID  IDM  PD  Tj, Tstg  TYPICAL      EMBA5...