Ordering number : EN0199
2SB544 / 2SD400
Preliminary
SANYO Semiconductors
DATA SHEET
2SB544 / 2SD400
PNP / NPN Epit...
Ordering number : EN0199
2SB544 / 2SD400
Preliminary
SANYO Semiconductors
DATA SHEET
2SB544 / 2SD400
PNP /
NPN Epitaxial Planar Silicon
Transistors
Low-Frequency Power Amplifier Electronic Governor Applications
Specifications ( ) : 2SB544
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter Collector-to-Base Voltage Collector-to-Emitter Voltage Emitter-to-Base Voltage Collector Current Collector Current (Pulse) Collector Dissipation Junction Temperature Storage Temperature
Symbol
VCBO VCEO VEBO
IC ICP PC Tj
Tstg
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Conditions
Parameter
Collector Cutoff Current Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product Output Capacitance Collector-to-Emitter Saturation Voltage Base-to-Emitter Saturation Voltage Collector-to-Base Breakdown Voltage Collector-to-Emitter Breakdown Voltage Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Symbol
Conditions
ICBO IEBO hFE1 hFE2
fT Cob
VCE(sat) VBE(sat) V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO
VCB=(--)20V, IE=0A VEB=(--)4V, IC=0A VCE=(--)2V, IC=(--)50mA VCE=(--)2V, IC=(--)1A VCE=(--)10V, IC=(--)50mA VCB=(--)10V, f=1MHz IC=(--)500mA, IB=(--)50mA IC=(--)500mA, IB=(--)50mA IC=(--)10μA, IE=0A IC=(--)1mA, RBE=∞ IE=(--)10μA, IC=0A
Ratings (--)25 (--)25 (--)5 (--)1 (--)2 900 150
--55 to +150
Unit V V V A A
mW °C °C
Ratings min typ
60* 30
180 (25)15 (--0.15) 0.1 (--)0.85 (--)25 (--)25 (--)5
max (--)1.0 (--)1.0 560*
(--0.7)0.3 (--)1.2
Unit
μA μA
MHz pF V V V V V
* : The 2SB544 / 2SD400 is classified by hFE at 50mA as foll...