BZT52B6V8 Surface mount Silicon Planar Zener Diodes

BZT52B6V8 Surface mount Silicon Planar Zener Diodes

BZT52B2V4 ... BZT52B39 (500 mW 2%) BZT52B2V4 ... BZT52B39 (500 mW 2%) Surface mount Silicon Planar Zener Diodes Silizium-Planar-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2012-11-08 1 .1 ±0.1 0 . 6 ± 0.1 Maximum power dissipation 2.7±0.1 Maximale Verlustleistung 0 .1 2 Nominal Z-voltage.

Features

m ratings and Characteristics Grenz- und Kennwerte BZT52-series Power dissipation
  – Verlustleistung Operating junction temperature
  – Sperrschichttemperatur Storage temperature
  – Lagerungstemperatur TA = 25°C Ptot Tj TS 500 mW 1) -50...+150°C -50...+150°C Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht
  – umgebende Luft RthA < 300 K/W 1) Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht
  – Anschluss RthT < 240 K/W Zener voltages see table on next page
  – Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite BZT52B2V4 = 9C BZT52B2V7 = 9D BZT52B.