FS75R12KS4 IGBT-Module

FS75R12KS4 IGBT-Module

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FS75R12KS4 VorläufigeDaten PreliminaryData VCES  1200 75 100 150 500 +/-20 min. Tvj = 25°C Tvj = 125°C VCE sat VGEth QG RGint Cies Cres ICES IGES Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 25°.

Features

°C tP = 1 ms TC = 25°C, Tvj max = 150  IC nom  IC ICRM Ptot VGES     A  W  V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductivel.