BAW79C Silicon Switching Diodes (For high-speed switching High breakdown voltage Common cathode)

BAW79C Silicon Switching Diodes (For high-speed switching High breakdown voltage Common cathode)

Silicon Switching Diodes BAW 79 A … BAW 79 D For high-speed switching q High breakdown voltage q Common cathode q Type BAW 79 A BAW 79 B BAW 79 C BAW 79 D Marking GE GF GG GH Ordering Code (tape and reel) Q62702-A781 Q62702-A782 Q62702-A771 Q62702-A733 Pin Configuration Package1) SOT-89 Maxi.

Features

cified. Parameter Symbol min. DC characteristics Breakdown voltage I(BR) = 100 µA BAW 79 A BAW 79 B BAW 79 C BAW 79 D Forward voltage1) IF = 1 A IF = 2 A Reverse current VR = VRmax VR = VRmax, TA = 150 ˚C AC characteristics Diode capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Reverse recovery time IF = 200 mA, IR = 200 mA, RL = 100 Ω measured at IR = 20 mA Test circuit for reverse recovery time CD trr
  –
  – 10 1
  –
  – pF µs Values typ. max. Unit V(BR) 50 100 200 400 VF
  –
  – IR
  –
  –
  –
  – 1 50
  –
  – 1.6 2
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  – V V µA Pulse generator: tp = 5 µs, D = 0.05 tr = 0.6 ns, Rj = 50 Ω Oscillograph: R = 50 Ω .