DAN 803 / DAP 803 / DA 4148A/K (200 mW) Small Signal Diode Arrays Dioden Sätze mit Allzweckdioden Nominal power dissipation Nenn-Verlustleistung Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 9 Pin-Plastic case 9 Pin-Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. Dimensions / Maße .
mit R-Last, für eine einzelne Diode pro Diode bei gleichzeitigem Betrieb Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
1
IFAV IFAV IFAV IFAV IFSM
100 mA 1) 25 mA 1) 100 mA 1) 25 mA 1) 500 mA
TU = 25/C
TA = 25/C
) Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten 28.02.2002
366
DAN 803 / DAP 803 / DA 4148A/K (200 mW) Operating junction temperature
– Sperrschichttemperatur Storage temperature
– Lagerungstemperatur Tj TS
– 50…+150/C
– 50…+150/C Kennwerte T.
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