POWERFUL VERTICAL P-channel MOSFET
Description
CИСТЕМА МЕНЕДЖМЕНТА КАЧЕСТВА ПРОЕКТИРОВАНИЯ, РАЗРАБОТКИ И ПРОИЗВОДСТВА ДИСКРЕТНЫХ ПОЛПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ СООТВЕТСТВУЕТ ТРЕБОВАНИЯМ СТБ ИСО 9001-2001
КП796А,Б,В
МОЩНЫЙ ВЕРТИКАЛЬНЫЙ P-КАНАЛЬНЫЙ МОП ТРАНЗИСТОР
АДБК 432140.
950 ТУ
* Заpубежный аналог – IRF9634 * Изготавливается в коpпусе КТ-28 (ТО-220).
ПРЕДЕЛЬНО-ДОПУСТИМЫЕ РЕЖИМЫ ЭКСПЛУАТАЦИИ
Паpаметpы
Обозначение Един.
Пpедельные значе-
ния
измер.
А
БВ
Напpяжение сток-исток
Uси max
В -250 -300 -200
Напpяжение затвор-исток Uзи max
В ±20 ±20 ±20
Постоянный ток стока
Iс max
А -4.
1 -3,7 -4,1
Импульсный ток стока
Iс и max
А -16 -15 -16
Рассеиваемая мощность
Pmax
Вт 74 74 74
Прямой ток диода
Iпр.
max
А -4.
1 -3,7 -4,1
Темпеpатуpа пеpехода
Тпеp
°С 150 150 150
1.
Затвор 2.
Сток 3.
Исток
ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Токр.
ср.
=25°С)
Паpаметpы
Обозначение
Поpоговое напpяжение
Uзи поp
Сопpотивление сток-исток в откpытом состоянии
Rси отк
КП796А,В КП796Б
Остаточный ток стока Iс ост
КП796А
КП796Б
КП796В
Ток утечки затвора
Iз ут
Кpутизна ВАХ
S
КП796А,В
КП796Б
Прямое напряжение диода
Uпр
КП796А,В
КП796Б
Время задержки включе-
tзд.
вкл/выкл
ния/выключения
КП796А,В
КП796Б Тепловое сопротивление переход-корпус Входная емкость
Выходная емкость
Пpоходная емкость
Rt п-к * C11и * C22и * C12и
• Справочные параметры
Ед.
измеpения В Ом
мкА
нА А/B
В
нс
°С/Вт пФ пФ пФ
Режимы измеpения
Iс=-250мкА,Uзи=Uси tи ≤300мкс.
Q ≥50 Iс=-2.
5А,Uзи=-10В
Uси=-250В,Uзи=0 Uси=-300В,Uзи=0 Uси=-200В,Uзи=0
Uзи=±20В,Uси=0 tи ≤300мкс.
Q ≥50 Uси=-20В,Iс=-4.
1А Uси=-30В,Iс=-3.
7А tи ≤300мкс.
Q ≥50 Ic=-4.
1A, Uзи=0 Ic=-3.
7A tи ≤300мкс.
Q ≥50 Ic=-4.
1A, Uси=-130В Rс=31Ом,Rг=12Ом Ic=-3.
7A
Uзи=0,Uси=-25В, f=1МГц
Uзи=0,Uси=-25В, f=1МГц
Uзи=0,Uси=-25В, f=1МГц
Min -2.
0
2,2 2,2
-
220108, г.
Минск, ул.
Корженевского,16 УП "Завод Транзистор" Отдел маркетинга: т/ф (10-37517) 212-59-32
E-mail: market@transistor.
com.
by; www.
transistor.
by
Max -4.
0
1,0 1,4 -25 -25 -25 100
-6.
5 -6,5
12/34
1.
7 1...
Similar Datasheet
