(SVD4N65T/F/M) 650V N-CHANNEL MOSFET
Description
SVD4N65T/F/M
4A、650V N
SVD4N65T/F/M N MOS S-RinTMVDMOS 。 、。 AC-DC ，DC-DC ， H PMW 。
∗ ∗ ∗ ∗ ∗ 4A，650V，RDS(on)（）=2.
3Ω@VGS=10V dv/dt
SVD4N65T SVD4N65F SVD4N65M TO-220-3L TO-220F-3L TO-251-3L SVD4N65T SVD4N65F SVD4N65M
：1.
0
2009.
12.
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SVD4N65T/F/M
(，TC=25°C)
（TC=25°C） - 25°C （ 1） VDS VGS ID IDM PD EAS TJ Tstg 100 0.
8 SVD4N65T SVD4N65F 650 ±30 4.
0 16 33 0.
26 85.
1 -55～+150 -55～+150 78 0.
62 SVD4N65M V V A A W W/°C mJ °C °C
RθJC RθJA SVD4N65T 1.
25 62.
5 SVD4N65F 3.
79 120 SVD4N65M 2.
65 110 °C/W °C/W
(，TC=25°C)
BVDSS IDSS IGSS VGS(th) RDS(on) gFS Ciss Coss Crss td(on) tr td(off) tf ( 2,3) VGS=0V， ID=250µA VDS=650V，VGS=0V VGS=±30V，VDS=0V VGS= VDS，ID=250µA VGS=10V，ID=2A VDS = 50 V, ID = 2 A VDS=25V，VGS=0V， f=1.
0MHZ VDD=325V，ID=4.
0A， RG=25Ω 650 --2.
0 --------- ----2.
3 5.
34 556 50 3 20 19.
3 128 20 -10 ±100 4.
0 3.
0 -710 80 11 30 80 180 90 ns pF V µA nA V Ω S
：1.
0
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- - Qg Qgs Qgd VDS=520V ， ID=4.
0A ， VGS=10V ( 2,3) --- 15.
8 3.
5 5.
6 20 --nC
-
- ： 1.
L=10mH，IAS=4.
13A，VDD=50V， TJ=25°C； 2.
： ≤300μs，≤2%； 3.
。 IS ISM VSD Trr Qrr MOS 、 P-N IS=4.
0A，VGS=0V IS=4.
0A，VGS=0V， dIF/dt=100A/µs ----- ---300 2.
2 4.
0 16 1.
4 -- A V ns µC
：1.
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()
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：1.
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TO-220F-3L(1) : mm
TO-220F-3L(2)
: mm
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（）
TO-220-3L : mm
TO-251-3L
: mm
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