Diode
Description
Technische Information / Technical Information
Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT
DD B6U 134 N 16 RR
N
B6
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Gleichrichterdiode / Rectifierdiode Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element) RMS forward current (per chip) Ausgangsstrom output current Stoßstrom-Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I²t-value IGBT Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor-Spitzenstrom repetitive peak collektor current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Schnelle Diode / Fast diode Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Modul Isolations-Prüfspannung insulation test voltage
RMS, f = 50Hz, t = 1min NTC connected to baseplate t p = 1ms T C = 80°C T C = 25°C t p = 1ms, T C = 80°C T C = 80°C T vj = 25°C, tp = 10ms T vj = T vj max, t p = 10ms T vj = 25°C, tp = 10ms T vj = T vj max, t p = 10ms T C = 100°C T vj = - 40°C.
.
.
Tvj max
VR R M
1600
V
IFRMSM
80
A
Id
134
A
IFSM
650 550
A A A²s A²s
I²t
2100 1500
V CES
1200
V
IC
70
A
IC R M
150
A
P tot
500
W
V GE
± 20
V
VR R M
1200
V
IF
35
A
IFRM
70
A
V ISOL
2,5
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values Gleichrichterdiode / Rectifierdiode Durchlaßspannung forward voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand forward slope resistance Sperrstrom reverse current Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip lead resistance, terminals-chip
T C = 25°C T vj = T vj max, vR = VRRM T vj = T vj max T vj = T vj max T vj = T vj max, iF = 100A
min.
vF
typ.
max.
1,35 V
V (TO)
0,75
V
rT
6,3
mΩ
iR
5
mA
RAA`+KK`
1
mΩ
prepared by: Ra...
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