IGBT-Modules
Description
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-Modules
FB10R06KL4GB1
Vorläufig preliminary
Elektrische Eigenschaften /electrical properties
Höchstzulässige Werte /maximum rated values
Diode Gleichrichter / diode rectifier Periodische Rückw.
Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom Grenzeffektivwert pro Chip RMS forward current per chip www.
DataSheet4U.
com Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom maximum RMS current at Rectifier output Stoßstrom Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I t - value
2
Tvj =25°C TC =80°C TC =80°C tP = 10 ms, T vj = tP = 10 ms, T vj = 25°C 25°C
VRRM IFRMSM IRMSmax IFSM It
2
800
V
23 25 197 158 194 125
A A A A As As
2 2
tP = 10 ms, T vj = 150°C tP = 10 ms, T vj = 150°C
Transistor Wechselrichter / transistor inverter Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Wechselrichter / diode inverter Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw.
current Grenzlastintegral 2 I t - value tP = 1 ms VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C IF IFRM It
2
Tvj =25°C TC =80°C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC = 25°C T C =80°C
VCES IC,nom.
IC ICRM Ptot VGES
600 10 15 20 55 +/- 20V
V A A A W V
10 20 12
A A As
2
Transistor Brems-Chopper / transistor brake-chopper Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Brems-Chopper / diode brake-chopper Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw.
current prepared by: Thomas Passe approved by: R.
Keggenhoff tP = 1 ms IF IFRM 1...
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