DRAM Module
Description
DRAM MODULE
KMM372V213CK/CS
KMM372V213CK/CS Fast Page Mode 2M x 72 DRAM DIMM with ECC using 2Mx8, 2K Refresh , 3.
3V
GENERAL DESCRIPTION
The Samsung KMM372V213C is a 2Mx72bits Dynamic RAM high density memory module.
The Samsung KMM372V213C consists of nine CMOS 2Mx8bits DRAMs in SOJ/TSOP-II 300mil package, and two 16bits driver IC in 48pin TSSOP package mounted on a 168-pin glass-epoxy substrate.
A 0.
1 or 0.
22uF decoupling capacitor is mounted on the printed circuit board for each DRAM.
The KMM372V213C is a Dual In-line Memory Module and is intended for mounting into 168 pin edge connector sockets.
FEATURES
• Part Identification - KMM372V213CK (2048 cycles/32ms Ref.
SOJ) - KMM372V213CS (2048 cycles/32ms Ref.
TSOP) • Fast Page Mode Operation • CAS-before-RAS Refresh capability • RAS-only and Hidden refresh capability • LVTTL compatible inputs and outputs • Single 3.
3V±0.
3V power supply • JEDEC standard pinout & Buffered PDpin • Buffered input except RAS and DQ
PERFORMANCE RANGE
Speed -5 -6
tRAC
50ns 60ns
tCAC
18ns 20ns
tRC
90ns 110ns
tPC
35ns 40ns
• PCB : Height(1000mil), Single sided component
PIN CONFIGURATIONS
Pin Front Pin Front Pin Front Pin 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 VSS DQ0 DQ1 DQ2 DQ3 VCC DQ4 DQ5 DQ6 DQ7 DQ8 VSS DQ9 DQ10 DQ11 DQ12 DQ13 VCC DQ14 DQ15 DQ16 DQ17 VSS RSVD RSVD VCC W0 CAS0 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 RSVD RAS0 OE0 VSS A0 A2 A4 A6 A8 A10 *A12 VCC RFU RFU VSS OE2 RAS2 CAS4 RSVD W2 VCC RSVD RSVD DQ18 DQ19 VSS DQ20 DQ21 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 DQ22 DQ23 VCC DQ24 RFU RFU RFU RFU DQ25 DQ26 DQ27 VSS DQ28 DQ29 DQ30 DQ31 VCC DQ32 DQ33 DQ34 DQ35 VSS PD1 PD3 PD5 PD7 ID0 VCC 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 Back VSS DQ36 DQ37 DQ38 DQ39 VCC DQ40 DQ41 DQ42 DQ43 DQ44 VSS DQ45 DQ46 DQ47 DQ48 DQ49 VCC DQ50 DQ51 DQ52 DQ53 VSS RSVD R...
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