Silicon-Power Rectifiers
Description
1N 1199A .
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1N 1206A, 1N 3671, 1N 3673 PBY 271 .
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PBY 277 Silicon-Power Rectifiers Nominal current – Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Metal case – Metallgehäuse Weight approx.
– Gewicht ca.
Recommended mounting torque Empfohlenes Anzugsdrehmoment Silizium-Leistungs-Gleichrichter 12 A 50.
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1000 V DO-4 5.
5 g 18 ± 10% lb.
in.
2 ± 10% Nm
Dimensions / Maße in mm
Standard: Cathode to stud / am Gewinde Index R: Anode to stud / am Gewinde (e.
g.
1N 1199 A/R)
Maximum ratings Type Typ 1N 1199 A 1N 1200 A 1N 1202 A 1N 1204 A 1N 1206 A 1N 3671 1N 3673 = = = = = = = PBY 271 PBY 272 PBY 273 PBY 274 PBY 275 PBY 276 PBY 277 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 TC = 100/C f > 15 Hz TA = 25/C TA = 25/C TA = 25/C
Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 60 120 240 480 720 1000 1200 12 A 1) 40 A 1) 220 A 240 A 240 A2s
Max.
average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms
IFAV IFRM IFSM IFSM i2t
) Valid, if the temp.
of the stud is kept to 100/C – Gültig, wenn die Temp.
am Gewinde auf 100/C gehalten wird 26.
03.
2002
1
1
1N 1199A .
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1N 1206A, 1N 3671, 1N 3673 PBY 271 .
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PBY 277 Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS – 65…+175/C – 65…+175/C Kennwerte Tj = 25/C Tj = 25/C IF = 30 A VR = VRRM VF IR RthC < 1.
5 V < 100 :A < 2 K/W
Characteristics Forward voltage – Durchlaßspannung Leakage current – Sperrstrom Thermal resistance junction to stud Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
2
F:\Data\Wp\DatBlatt\Einzelblätter\1n1199-pby271.
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wpd
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Similar Datasheet
