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RA2505 Dataheets PDF



Part Number RA2505
Manufacturers Diotec
Logo Diotec
Description Silicon-Rectifiers
Datasheet RA2505 DatasheetRA2505 Datasheet (PDF)

RA2505 ... RA2510 8.5 4.2 Version 2014-07-30 Dimensions - Maße [mm] 5.6 ±0.26.2 RA2505 ... RA2510 Silicon-Rectifiers – Button Diodes Silizium-Gleichrichter – Knopf-Zellen Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging bulk Standard Lieferform lose Marking: Kennzeichnung: Colored ring deno.

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RA2505 ... RA2510 8.5 4.2 Version 2014-07-30 Dimensions - Maße [mm] 5.6 ±0.26.2 RA2505 ... RA2510 Silicon-Rectifiers – Button Diodes Silizium-Gleichrichter – Knopf-Zellen Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging bulk Standard Lieferform lose Marking: Kennzeichnung: Colored ring denotes “cathode” Farbiger Ring kennzeichnet “Kathode” 25 A 50 ... 1000 V Button 1.9 g Maximum ratings Type Typ RA2505 RA251 RA252 RA254 RA256 RA258 RA2510 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur TC = 110°C IFAV IFSM TA = 25°C i2t Tj TS © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 25 A 375/400 A 680 A2s -50...+175°C -50...+175°C 1 RA2505 ... RA2510 Characteristics Forward Voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C Thermal resistance junction to case (terminal) Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (Anschluss) IF = 80 A VR = VRRM VR = VRRM VF IR IR RthC Kennwerte < 1.1 V < 5 µA < 250 µA < 1.0 K/W 120 [%] 100 80 60 40 20 IFAV 0 0 TC 50 100 150 [°C] Rated forward current versus case temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp. 103 [A] 102 10 Tj = 25°C 1 IF 10-1 375a-(25a-1,1v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 103 [A] 102 îF 10 1 (375a-25a) 10 102 [n] Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz 103 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG .


PX1500M RA2505 RA251


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