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RA2505 ... RA2510
8.5 4.2
Version 2014-07-30
Dimensions - Maße [mm]
5.6
±0.26.2
RA2505 ... RA2510
Silicon-Rectifiers – Button Diodes Silizium-Gleichrichter – Knopf-Zellen
Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging bulk Standard Lieferform lose
Marking: Kennzeichnung:
Colored ring denotes “cathode” Farbiger Ring kennzeichnet “Kathode”
25 A 50 ... 1000 V
Button 1.9 g
Maximum ratings Type Typ
RA2505 RA251 RA252 RA254 RA256 RA258 RA2510
Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] 50
100 200 400 600 800 1000
Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V] 50
100 200 400 600 800 1000
Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur
TC = 110°C IFAV
IFSM
TA = 25°C
i2t
Tj TS
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
25 A 375/400 A
680 A2s -50...+175°C -50...+175°C
1
RA2505 ... RA2510
Characteristics
Forward Voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
Leakage current Sperrstrom
Tj = 25°C Tj = 100°C
Thermal resistance junction to case (terminal) Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (Anschluss)
IF = 80 A VR = VRRM VR = VRRM
VF IR IR RthC
Kennwerte < 1.1 V < 5 µA
< 250 µA < 1.0 K/W
120 [%] 100
80
60
40
20 IFAV
0 0 TC 50 100 150 [°C] Rated forward current versus case temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp.
103 [A] 102
10 Tj = 25°C
1
IF
10-1
375a-(25a-1,1v)
0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
103 [A]
102
îF
10 1
(375a-25a)
10 102 [n]
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
103
2
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© Diotec Semiconductor AG
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