RS1E200BN

RS1E200BN 　　Nch 30V 68A Power MOSFET 　　 Datasheet VDSS RDS(on)(Max.) ID PD 30V 3.9mΩ ±68A 25W lFeatures 1) Low on - resistance 2) High Power small mold Package (HSOP8) 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 4) Halogen Free 5) 100% Rg and UIS tested lOutline HSOP8 　 　　　　　　 lInner circuit 　 lPackaging specifications Packing Embossed Tape Reel size (mm) 330 lApplication Switching Type Tape width (mm) Quantity (pcs) 12 2500 Taping code TB Marking lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C ,unless otherwise specified) RS1E200BN Parameter Symbol Value Unit Drain - Source voltage VDSS 30 V Continuous drain current Tc = 25°C Ta = 25°C ID*1 ID ±68 A ±20 A Pulsed drain current IDP*2 ±80 A Gate - Source voltage VGSS ±20 V Avalanche current, single pulse IAS*3 32 A Avalanche energy, single pulse EAS*3 130 mJ Power dissipation PD*1 25 W PD*4 3.0 W Junction temperature Tj 150 ℃ Operating junction and storage temperature range Tstg -55 to +150 ℃ 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2019 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/10 20190527 - Rev.006 　 　 RS1E200BN 　 　 　 　　 　 lThermal resistance Parameter Thermal resistance, junction - case Thermal resistance, junction - ambient 　 　 　 　 　 　 　 　 Datasheet 　 　 　　　　　　　　　　　　　　　　 Symbol RthJC*1 RthJA*4 Values Min. Typ. Max. - - 5.0 - - 41.7 Unit ℃/W ℃/W lElectrical characteristics (Ta = 25°C) Parameter Symbol Conditions Drain...