RQ3E150BN

RQ3E150BN 　　Nch 30V 15A Middle Power MOSFET VDSS RDS(on)(Max.) ID PD 30V 5.3mΩ ±15A 2W lFeatures 1) Low on - resistance. 2) High Power Package (HSMT8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. lOutline HSMT8 　 　 　　　　　　 lInner circuit 　　 Datasheet 　　　　　　 　 　 　 　　　　　　 lPackaging specifications Packing Embossed Tape Reel size (mm) 330 lApplication Switching Type Tape width (mm) Basic ordering unit (pcs) 12 3000 Taping code TB Marking E150BN lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C) Parameter Symbol Value Unit Drain - Source voltage Continuous drain current Pulsed drain current Gate - Source voltage Power dissipation Junction temperature Range of storage temperature VDSS ID ID,pulse*1 VGSS PD*2 Tj Tstg 30 ±15 ±60 ±20 2 150 -55 to +150 V A A V W ℃ ℃ 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/11 20141022 - Rev.001 　 　 RQ3E150BN 　 　 　 　　 　 lThermal resistance Parameter Thermal resistance, junction - ambient 　 　 　 　 　 　 　 　 Datasheet 　 　 　　　　　　　　　　　　　　　　 Symbol RthJA*2 Values Min. Typ. Max. - 62.5 - Unit ℃/W lElectrical characteristics (Ta = 25°C) Parameter Symbol Conditions Drain - Source breakdown voltage V(BR)DSS VGS = 0V, ID = 1mA Breakdown voltage temperature coefficient Zero gate voltage drain current 　ΔV(BR)DSS　 ID = 1mA 　　 ΔTj 　 　 referenced to 25℃ IDSS VDS = 30V, VG...